Прозрачный алмазный индентор-объектив, разработанный командой НаноСкан (https://nanoscan.info/indentor-obektiv), позволяет исследовать in-situ области упругих деформаций материалов под наконечником как в контакте, так и вне области контакта, без использования специальных иммерсионных жидкостей. Благодаря чему, используя спектроскопию комбинационного рассеяния, можно точечно (с разрешением до 1 мкм) сканировать данные области.
Однако, картографирование оптических свойств не является нашей конечной целью. Измеряемые сдвиги мод комбинационного рассеяния (LO мод), благодаря концепции тензора фононных мод Грюнайзена, открывают доступ к определению механических свойств исследуемого материала. Для того, чтобы продемонстрировать эту возможность, был взят образец кремниевого чипа с ориентацией (100). В ходе индентирования с нагрузкой 250 мН для одного из секторов под индентором была построена карта распределения давлений с шагом 1 мкм. Характер изменения спектров комбинационного рассеяния позволил сделать выводы об однородности и неоднородности деформаций в измеренных точках.
Более подробно с полученными результатами вы сможете ознакомиться в статье «Картографирование напряжений при индентировании in-situ с использованием оптической спектроскопии». Сейчас статья находится на рассмотрении в журнале «Известия высших учебных заведений. Серия «Химия и химическая технология»». Ожидаемый срок публикации – 4 квартал 2024 года.
Описанные результаты подтверждают возможность изучения типа деформаций в кристаллах (растяжение или сжатие) во время индентирования с применением спектроскопии комбинационного рассеяния. Измерение продольных (TO-мод) станет возможным с применением поляризационных методов. Постановка соответствующего эксперимента сейчас находится в разработке.
Однако, картографирование оптических свойств не является нашей конечной целью. Измеряемые сдвиги мод комбинационного рассеяния (LO мод), благодаря концепции тензора фононных мод Грюнайзена, открывают доступ к определению механических свойств исследуемого материала. Для того, чтобы продемонстрировать эту возможность, был взят образец кремниевого чипа с ориентацией (100). В ходе индентирования с нагрузкой 250 мН для одного из секторов под индентором была построена карта распределения давлений с шагом 1 мкм. Характер изменения спектров комбинационного рассеяния позволил сделать выводы об однородности и неоднородности деформаций в измеренных точках.
Более подробно с полученными результатами вы сможете ознакомиться в статье «Картографирование напряжений при индентировании in-situ с использованием оптической спектроскопии». Сейчас статья находится на рассмотрении в журнале «Известия высших учебных заведений. Серия «Химия и химическая технология»». Ожидаемый срок публикации – 4 квартал 2024 года.
Описанные результаты подтверждают возможность изучения типа деформаций в кристаллах (растяжение или сжатие) во время индентирования с применением спектроскопии комбинационного рассеяния. Измерение продольных (TO-мод) станет возможным с применением поляризационных методов. Постановка соответствующего эксперимента сейчас находится в разработке.
